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RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測試儀

RK02-FT-331 普通四探針方阻電阻率測試儀

簡要描述:
RK02-FT-331 普通四探針方阻電阻率測試儀
廣泛用于:覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

產(chǎn)品時間:2018-02-27

訪問量:959

廠商性質:生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:

RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測試儀 
廣泛用于:覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試
硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻 半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),金屬膜,導電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率 導電性油漆,導電性糊狀物,導電性塑料,導電性橡膠,導電性薄膜,金屬薄膜,抗靜電材料, EMI 防護材料,導電性纖維,導電性陶瓷等
按照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84)及標準設計制造該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準,本機配置232電腦接口及USB兩種接口,本機結合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結果的影響及誤差,比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測量,更加準確.

RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測試儀 
本儀器本儀器采用四探針單電測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試結果自動轉換量程,無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結構合理、質量輕便,運輸、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表;本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測試儀 
參數(shù)資料
1.方塊電阻范圍:10-5~2×106Ω/□
2.電阻率范圍:10-6~2×106Ω-cm
3.測試電流范圍:0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度:±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度:≤0.3%
6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率
7.測試方式: 普通單電測量
8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗:<30W
9.整機不確定性誤差: ≤4%(標準樣片結果)
10.選購功能: 選購1.pc軟件; 選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測試平臺
11.測試探頭: 探針間距選購:1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質選購:碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針

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